Giảng viên khoa Kỹ thuật điện - Đại học điện lực được khen thưởng luận án tiến sĩ xuất sắc nhất năm 2018 của Đại học Bách Khoa Hà Nội
Sau khi bảo vệ thành công luận án Tiến sĩ với 100% phiếu xuất sắc của Hội đồng vào tháng 7/2017, cộng với những kết quả công bố nội trội và phương hướng phát triển nghiên cứu - tháng 10/2018, TS. Phạm Anh Tuân là một trong hai người đã vinh dự được khen thưởng Tiến sĩ có luận án tiến sĩ xuất sắc năm 2018 của trường ĐHBK Hà Nội (Năm 2018 trường ĐHBK Hà Nội có 76 tiến sĩ được trao bằng).
Luận án của TS. Phạm Anh Tuân dưới sự hướng dẫn của TS. Nguyễn Duy Cường và TS. Nguyễn Việt Hưng (Viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ - AIST) đã công bố 8 bài báo, trong đó có 04 bài thuộc danh mục ISI uy tín với tổng chỉ số IF vào khoảng 10; 01 bài đăng tạp chí trong nước, 02 bài trong kỷ yếu hội nghị quốc tế và 01 bài trong kỷ yếu hội nghị trong nước. Luận án của TS. Tuân tập trung vào nghiên cứu và chế tạo pin mặt trời Cu (Zn, Sn) (S,Se) và Cu (In, Ga) (S,Se). Trong phát biểu tại buổi Lễ trao bằng, TS. Phạm Anh Tuân khẳng định sẽ cố gắng tiếp tục học tập, khám phá tri thức mới, đặc biệt ứng dụng những kiến thức được trang bị vào thực tiễn, hoàn thành tốt các nhiệm vụ được giao, đóng góp vào sự phát triển của đất nước, để luôn tự hào là NCS của Trường ĐHBK Hà Nội và Giảng viên của Khoa Kỹ thuật điện, Trường Đại học Điện lực.
Một số vấn đề khoa học đã được nghiên cứu trong luận án như sau:
1.Nghiên cứu và chế tạo thành công lớp màng Mo dày khoảng 1000 nm bằng phún xạ, bằng cách kết hợp giữa nguồn 1 chiều và xoay chiều, đồng thời thay đổi áp suất phún xạ phù hợp; màng Mo có cấu trúc lớp dưới dày khoảng 100 nm, lớp giữa dày khoảng 700 nm, lớp trên dày khoảng 200 nm. Lớp màng dượ chế tạo có khả năng ổn định cả trước và sau khi Selen hoá ở nhiệt độ cao trên 500 độ C và có điện trở bề mặt khoảng 1,2 (Ohm/square). Nghiên cứu này được ứng dụng để chế tạo lớp điện cực dưới cho Pin mặt trời CZTSSe và CIGSSe. Kết quả được công bố trong tạp chí ISI (DOI 10.1515/gps-2016-0021).
2.Nghiên cứu và chế tạo màng thành công AgNW/ZnO bằng phương pháp in gạt màng sợi nano bạc AgNW và phủ lên một lớp ZnO bằng phương pháp ALD. Ban đầu điện trở bề mặt của màng AgNW là 20-40 (Ohm/square); sau khi ALD một lớp ZnO, điện trở màng AgNW/ZnO thu được giảm xuống chỉ còn 7-15 (Ohm/square) ngoài ra màng AgNW/ZnO có độ truyền qua lên đến khoảng 76% tại bước sóng 550 nm. Nghiên cứu này mở hướng ứng dụng chế tạo lớp điện cực cửa sổ cho Pin mặt trời bằng phương pháp không-chân không. Kết quả được công bố trong tạp chí ISI (DOI 10.1088/0957-4484/27/33/335202).
3.Nghiên cứu và tổng hợp thành công hạt nano CZTS và CIGS bằng phương pháp phun nóng; hạt nano CZTS và CIGS này đơn pha, kích thước dưới 30 nm, tương đối đồng đều, phân tán tốt trong dung môi Hexanethiol và dễ tạo màng bằng phương pháp in gạt. Hạt CZTS và CIGS tổng hợp trên được sử dụng để chế tạo lớp màng hấp thụ ánh sáng CZTSSe và CIGSSe bằng phương pháp Selen hoá. Màng CZTSSe và CIGSSe: đơn pha, dày từ 600 đến 1000 nm, độ kết tinh tốt và được sử dụng làm lớp hấp thụ ánh sáng cho Pin mặt trời. Và cuối cùng, tế bào Pin mặt trời CZTSSe và CIGSSe cũng đã được chế tạo thành công trong điều kiện không-chân không ở nhiều khâu. Các kết quả này được công bố trong: 01 tạp chí ISI (DOI: 10.1007/s11664-016-5236-4); 01 tạp chí khoa học trong nước, và báo cáo tại 03 hội nghị khoa học uy tín.
Thông tin bên lề về TS. Phạm Anh Tuân:
Năm 1998-2003, học Kỹ sư Đại học Bách Khoa Hà Nội, tốt nghiệp chuyên ngành Hệ thống điện với đề tài tốt nghiệp: Lập phần mềm tính toán chế độ xác lập và ngắn mạch cho Hệ thống điện.
Năm 2003-2005, học Thạc sĩ Đại học Bách Khoa Hà Nội, tốt nghiệp ngành kỹ thuật điện với đề tài tốt nghiệp: Nghiên cứu hệ thống tái cấu trúc và tự động hóa phân phối điện cho lưới điện phân phối.
Trước khi về làm công tác giảng dạy tại Khoa Kỹ thuật điện năm 2009, TS. Phạm Anh Tuân đã có khoảng thời gian làm việc tại Dự án JICA-EVN về lĩnh vực đào tạo giáo viên ngành điện.
Một số hình ảnh trong buổi lễ nhận bằng Tiến sĩ và khen thưởng xuất sắc nhất năm của TS. Phạm Anh Tuân:
